spl cgxx laser diode on submount 2.0 w cw laser diode in offener bauform 2.0 w cw 2000-01-01 1 opto semiconductors besondere merkmale ? effiziente strahlungsquelle fr dauerstrich- und gepulstem betriebsmodus ? zuverl?ssige inga(al)as kompressiv verspannte quantenfilm-struktur ? laterale austritts?ffnung 200 m m ? kleiner kupfer-khlk?rper (c-typ) fr oem design anwendungen ? pumpen von faser-lasern und -verst?rkern (er, yb, ) ? pumpen von festk?rperlasern (nd: yag, yb: yag, ) ? l?ten, erw?rmen, beleuchten ? drucken, markieren, oberfl?chenbearbeitung ? medizinische anwendungen ? test- und messsysteme sicherheitshinweise je nach betriebsart emittieren diese bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare infrarot- strahlung, die gef?hrlich fr das menschliche auge sein kann. produkte, die diese bauteile enthalten, mssen gem?? den sicherheits- richtlinien der iec-norm 60825-1 behandelt werden. features ? efficient radiation source for cw and pulsed operation ? reliable inga(al)as strained quantum-well structure ? lateral laser aperture 200 m m ? small c-type copper submount for oem designs applications ? pumping of fiber lasers and amplifiers (er, yb, ) ? pumping of solid state lasers (nd: yag, yb: yag, ) ? soldering, heating, illumination ? printing, marking, surface processing ? medical applications ? testing and measurement applications safety advices depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in iec 60825-1 safety of laser products.
2000-01-01 2 opto semiconductors spl cgxx typ type wellenl?nge 1) wavelength 1) bestellnummer ordering code spl cg81 808 nm q62702-p358 spl cg85 850 nm q62702-p5231 spl cg94 940 nm q62702-p1617 spl cg98 975 nm q62702-p3494 1) andere wellenl?ngen im bereich von 780 nm 980 nm und andere emittergr??en sind auf anfrage erh?ltlich. other wavelengths in the range of 780 nm 980 nm and other emitter sizes are available on request. grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings parameter parameter symbol symbol werte values einheit unit min. max. ausgangsleistung (dauerstrichbetrieb) 1) output power (continuous wave) 1) 1) zur leistungsmessung wird die gesamte lichtleistung in eine ulbrichtkugel eingekoppelt. optical power is measured by coupling into an integrating sphere. p cw C2.0w ausgangsleistung (quasi- dauerstrichbetrieb) 1) ( t p 150 m s, tastverh?ltnis 1%) output power (quasi-continuous wave) 1) ( t p 150 m s, duty cycle 1%) p qcw C2.5w sperrspannung reverse voltage v r C3v betriebstemperatur 2) operating temperature 2) 2) die entstehung von kondensflssigkeiten mu? ausgeschlossen werden. bedewing has to be excluded. t op C 10 + 60 c lagertemperatur 2) storage temperature 2) t stg C 40 + 85 c l?ttemperatur an der l?tfahne, max. 5 s soldering temp. at solder flag, max. 5 s t s1 C250 c l?ttemperatur am kupfertr?ger, max. 10 s soldering temp. at submount, max. 10 s t s2 C140 c
spl cgxx 2000-01-01 3 opto semiconductors dioden kennwerte ( t a = 25 c) diode characteristics parameter parameter symbol symbol werte values einheit unit min. typ. max. zentrale emissionswellenl?nge 1) emission wavelength 1) l peak 805 840 930 970 808 850 940 975 811 860 950 980 nm spektrale breite (halbwertsbreite) 1) spectral width (fwhm) 1) dl C3.0Cnm opt. ausgangsleistung im betriebspunkt 2) output power 2) p op C2.0Cw differentielle effizienz 2) 808 nm differential efficiency 2) 850 nm 940 nm 975 nm h 0.9 0.9 0.8 0.8 1.1 1.1 0.95 0.9 1.3 1.3 1.1 1.1 w/a schwellstrom 808 nm threshold current 850 nm 940 nm 980 nm i th 0.50 0.50 0.30 0.30 0.65 0.65 0.40 0.40 0.80 0.80 0.55 0.55 a betriebsstrom 1) operating current 1) i op 2.20 2.50 3.00 a betriebsspannung 1)4) operating voltage 1)4) v op C1.9Cv differentieller serienwiderstand differential series resistance r s C0.150.4 w austritts?ffnung aperture size w h C200 1C m m 2 strahldivergenz (halbwertsbreite) beam divergence (fwhm) q || q ^ C 10 38 C grad deg. charakteristische temperatur (schwelle) 3) characteristic temperature (threshold) 3) t 0 C150Ck temperaturkoeffizient des betriebsstroms temperature coefficient of operating current ? i op / i op ? t C 0.5 C %/k temperaturkoeffizient der wellenl?nge 4) temperature coefficient of wavelength 4) ?l / ? t C0.3Cnm/k
2000-01-01 4 opto semiconductors spl cgxx thermischer widerstand (pn-bergang ? w?rmesenke) thermal resistance (junction ? heat sink) r th C8Ck/w 1) standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf 2 w cw optische ausgangsleistung. standard operating conditions refer to 2 w cw optical output power. 2) optische leistungen werden mit einer ulbrichtkugel gemessen. optical power measurements refer to an integrating sphere. 3) modelle zur bestimmung des thermischen verhaltens bzgl. des schwellstroms: model for the thermal behavior of threshold current: i th ( t 2 ) = i th ( t 1 ) exp ( t 2 C t 1 )/ t 0 4) abh?ngig von der emissionswellenl?nge. depending on emission wavelength. dioden kennwerte ( t a = 25 c) diode characteristics (contd) parameter parameter symbol symbol werte values einheit unit min. typ. max.
spl cgxx 2000-01-01 5 opto semiconductors optische kennwerte spl cg81 (laser kennwerte sind fr alle wellenl?ngen ?hnlich, parameter werden vorn detaillierter aufgefhrt). optical output power p opt vs. forward current i f ( t a = 25 c) farfield distribution parallel to junction i rel vs. q || optical characteristics spl cg81 (laser characteristics are similar for all wavelengths, pa- rameters are listed on previous page in detail). optical spectrum, relative intensity i rel vs. wavelength l ( t a = 25 c, p opt = 2 w) farfield distribution perpendicular to junction i rel vs. q ^ ohw00897 0 0 opt p f i 0.5 1 1.5 2 2.5 w 1 2 a 3 0.5 1.5 2.5 q ohw02170 0 rel i 20 40 60 80 100 -25 deg. il % -15 -5 5 15 25 ohw00898 0 790 l 800 810 820 830 nm 0.25 0.5 0.75 1 % i rel ohw00313 0 rel i 20 40 60 80 100 -50 degree -30 -10 10 50 q
2000-01-01 6 opto semiconductors spl cgxx ma?zeichnung package outlines ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm). alle laser werden vorgetestet und gem?? den gemessenen kennwerten ausgeliefert. bezglich sicherheit, verpackung, behandlung, montage und betriebsbedingungen lesen sie bitte sorgf?ltig unsere ?notes for operation i . all devices are pre-tested and will be delivered including measured laser characteristics. for safety, unpacking, handling, mounting, and operating issues, please read carefully our notes for operation i . cathode anode gso06600 2.9 2.7 7.1 6.7 2.2 2.4 4.6 4.4 6.2 6.6 a 0.1 a 11.0 9.0 1.3 1.1 2.1 2.3
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